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MCR的原理示意图
从图中可以看出，MCR由一个四柱铁心和绕组组成，中间两个铁心柱为工作铁心，Nk为控制绕组，N为工作绕组。由于可控硅接于控制绕组上，其电压很低，以Nk的匝数为N的1%计，可控硅T1和T2上的电压仅为工作电压的1%约为系统额定电压的1%左右，从而大大提高了运行可靠性。当工作绕组两端接上交流电压时，控制绕组上就会感应出相应的电压，在电压的正半周T1导通，在电压的负半周T2导通，通过控制T1、T2的导通角即可控制直流激磁。导通角越小，ik1和ik2越大，铁心饱和度越高，电抗器的感抗越小。因此，只要控制T1和T2的导通角大小，就可以平滑的调节MCR的容量。而且MCR具有自耦励磁功能，省去了单独的直流控制源。MCR的另一特点是小截面铁心处于极限饱和状态。而其他铁心则处于不饱和状态，降低了有功损耗（约为额定功率的0.9%），降低了谐波含量（约为TCR的一半左右，通过简单的角接处理，谐波含量可以降至5%以下），噪声也比较小。
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